Il colosso Micron, al Computex 2021 ha svelato i nuovi SSD PCIe 4.0 con 3D NAND TLC a 176 layer, e il raffinato processo 1-alpha
Il colosso statunitense Micron ha annunciato in occasione del Computex 2021 le proprie soluzioni, prodotti innovativi, che vedono spaziare da nuovi SSD PCI Express 4.0 per gli OEM. Le nuove soluzioni sono basate sull’innovativo processo produttivo 3D NAND TLC a 176 nanometri, inoltre sempre Micron ha annunciato la produzione in volumi di memoria DRAM con processo 1-alpha.
In particolare le memorie prodotte con processo produttivo 3D NAND Flash a 176 layer (di cui vi avevamo parlato a novembre) dovrebbero finalmente vedere la luce con i nuovi SSD dell’azienda. In particolare Micron dovrebbe produrre questa tecnologia per gli OEM, i prodotti saranno SSD in formato M.2 2280, un esempio sono la serie 3400. Prodotti dotati di interfaccia PCI Express 4.0 x4 e capacità tra i 512 GB e i 2 TB. Ecco i dettagli.
Micron svela al Computex 2021 le memorie 3D NAND TLC
Cuore pulsante delle nuove soluzioni sarà un controller molto efficiente prodotto in casa, che in combo con l’efficiente processo produttivo dovrebbe assicurare consumi bassissimi a fronte di prestazioni superiori, sia con notebook che in ambito server. Riferendoci a dati concreti, il throughput della lettura dovrebbe essere addirittura il doppio rispetto alle unità attuali, la serie 2300 per intenderci. Il throughput in scrittura dovrebbe essere addirittura migliore dell’85%. Il modello da 2 TB in particolare dovrebbe raggiungere velocità in lettura sequenziale fino a ben 6600 MB/s, e in scrittura sequenziale fino a 5000 MB/s.
I prodotti della serie 2450 invece, dovremo aspettarci capacità a partire da 256 GB fino a 1 TB. Con controller di casa Phison, per velocità minori essendo una fascia più bassa, di 3600 MB/s.
Per le prime RAM LPDDR4X realizzate con il processo produttivo 1α dedicato ai datacenter dovremo aspettare qualche mese, li vedremo per primi sui processori AMD EPYC. Micron ha dichiarato inoltre di aver iniziato la produzione di moduli NAND a 96 layer da 128 e 256 GB, oltre che a memorie UFS 3.1 per il settore automobilistico.
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