Micron: la prima NAND a 176 layer al mondo

SSD sempre più veloci ed efficienti, applicazioni in ambito server, hardware a sostegno dello sviluppo per il 5G, settore automotive, settore IA, sono solo alcuni degli ambiti in cui la prima NAND a 176 layer al mondo di Micron opererà.

È stata annunciata dal colosso Micron Technology  la prima memoria flash NAND 3D a 176 layer, che offre densità e prestazioni senza precedenti e, all’avanguardia nel settore mondiale. Inoltre, la nuova tecnologia a 176 layer di Micron e la sua architettura avanzata rappresentano una svolta radicale, consentendo enormi guadagni nelle prestazioni delle applicazioni in una gamma di utilizzi dello spazio di archiviazione che spaziano dai data center, all’intelligent edge e ai dispositivi mobili. 

Micron: la prima NAND a 176 layer al mondo

Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo tecnologia e prodotti di Micron.

La NAND a 176 strati di Micron stabilisce un nuovo standard per il settore, con un numero di strati che è quasi il 40% superiore a quello del nostro concorrente più vicino. Combinata con l’architettura CMOS-under-array di Micron, questa tecnologia promuove la leadership di Micron nel settore sotto il profilo dei costi

Tutto ciò rappresenta la quinta generazione di memorie NAND 3D e la seconda generazione di architetture di gate sostitutive di Micron, la NAND a 176 layer di Micron è il nodo NAND tecnologicamente più avanzato del mercato al momento. Rispetto alla precedente generazione di 3D NAND ad alto volume dell’azienda, la NAND a 176 layer di Micron migliora sia la latenza di lettura che di scrittura di oltre il 35%, accelerando notevolmente le prestazioni delle applicazioni. Il seguente confronto si basa sulla generazione NAND a 96 layer, a gate flottante, ad alto volume di Micron. Quando si confronta la NAND con gate di sostituzione a 128 layer, la latenza di lettura e la latenza di scrittura per la NAND a 176 layer di Micron migliorano entrambe di oltre il 25%.

Con una dimensione della matrice inferiore di circa il 30% rispetto alle migliori offerte della concorrenza, il design compatto della NAND a 176 strati di Micron è ideale per soluzioni che utilizzano fattori di forma ridotti. Una tecnologia rivoluzionaria dota diversi mercati della massima potenza di una flash.

La NAND a 176 strati di Micron offre ai nostri clienti un’innovazione di prodotto rivoluzionaria. Stiamo implementando questa tecnologia nel nostro ampio portafoglio di prodotti per portare valore ovunque venga utilizzata la NAND, mirando alle opportunità di crescita del 5G, dell’AI, del cloud e dell’intelligent edge

Sumit Sadana, vicepresidente esecutivo e amministratore delegato di Micron.

Design versatile, e densità impareggiabile, la NAND a 176 layer di Micron è un elemento fondamentale per un’ampia gamma di settori, tra cui storage mobile, sistemi autonomi, infotainment di bordo e drive a stato solido (SSD) di client e data center. In grado di offrire una migliore qualità del servizio QoS, un criterio di progettazione essenziale per gli SSD dei data center.

Miglioramenti che potrebbero accelerare non poco lo sviluppo in ambienti e carichi di lavoro ad alta intensità di dati come data lake, motori di intelligenza artificiale (AI) e analisi di big data. Una QoS migliorata può consentire agli smartphone 5G di avere più rapidità nell’avvio e nel passaggio tra app, creando un’esperienza mobile più fluida e reattiva, e consentendo un vero multitasking e un pieno utilizzo della rete 5G a bassa latenza.

Per fare un confronto, il miglioramento è superiore alle due precedenti generazioni di Micron di 3D NAND, a 96 layer e NAND a 128 layer, che presentavano una velocità di trasferimento dati massima di 1.200 MT / s.

La quinta generazione di 3D NAND di Micron offre anche la massima velocità di trasferimento dati migliore del settore, con 1.600 megatransfer al secondo (MT/s) sul bus Open NAND Flash Interface (ONFI), un miglioramento del 33%. 

La maggiore velocità dell’ONFI velocizza l’avvio del sistema e migliora le prestazioni delle applicazioni. Nelle applicazioni automobilistiche, questa velocità consentirà ai sistemi di bordo di avere tempi di risposta quasi istantanei all’accensione del motori, migliorando l’esperienza dell’utente.

Micron sta collaborando con gli sviluppatori del settore per integrare rapidamente i nuovi prodotti nelle soluzioni. Per semplificare lo sviluppo del firmware, la NAND a 176 layer di Micron offre un algoritmo di programmazione a passaggio singolo, che consente una più facile integrazione e velocizza il time to market. 

Rallenta la legge di Moore, Micron avanza

L’innovazione della 3D NAND di Micron è fondamentale per garantire che il settore possa tenere il passo con la crescente richiesta di dati.

Per raggiungere questo traguardo, Micron ha messo insieme per la prima volta la sua architettura di gate di sostituzione sovrapposta con le tecniche innovative di charge-trap e CMOS-under-array (CuA). Il team degli esperti Micron della 3D NAND ha fatto rapidi progressi con la tecnica proprietaria CuA dell’azienda, che costruisce lo stack multistrato sulla logica del chip, comprimendo una maggior quantità di memoria in uno spazio più piccolo e riducendo sostanzialmente la dimensione della matrice della NAND a 176 layer, producendo più gigabyte per wafer.

La tecnologia charge-trap è combinata con l’architettura del gate di sostituzione di Micron, che utilizza wordline in metallo altamente conduttive invece di uno strato di silicio per ottenere prestazioni NAND 3D senza precedenti. L’adozione di questa tecnologia da parte di Micron consentirà inoltre all’azienda di ottenere riduzioni dei costi aggressive e leader del settore. Applicando queste tecniche avanzate, Micron ha aumentato la resistenza, il che è particolarmente vantaggioso nei casi di utilizzo di scrittura intensiva, dalle scatole nere del settore aerospaziale alla registrazione di videosorveglianza.

Nell’archiviazione mobile, l’architettura del gate di sostituzione della NAND a 176 layer si traduce in prestazioni di carichi di lavoro misti più veloci del 15% per offrire un edge computing ultraveloce, un’inferenza AI migliorata e giochi multiplayer in tempo reale ricchi di grafica.

Disponibilità

La NAND 3D a celle a triplo livello a 176 strati di Micron è in produzione in serie nello stabilimento Micron di Singapore e ora viene spedita ai clienti, anche attraverso le sue linee di produzione SSD Crucial consumer. L’azienda introdurrà altri nuovi prodotti basati su questa tecnologia nell’arco del 2021.

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