Record Micron: a breve memorie 3D NAND flash a 232 layer

Micron tramite un comunicato sul proprio sito poi ripreso da alcune testate USA, ha annunciato l’arrivo (quasi imminente) di una memoria 3D NAND flash con 232 layer entro la fine dell’anno. Un vero record di tecnologia produttiva. L’azienda statunitense ha parlato di maggiori prestazioni, a fronte tra l’altro di minori consumi: la classica formula ricercata in questo campo in quanto a innovazione di architetture. Annunciata anche un interessante novità, anche se complessa, ovvero compatibilità a 360 Gradi con controller di terze parti.

L’utilizzo? Da SSD a settori specifici dove è richiesta un implementazione di memorie ad alta efficienza, che dovrebbero finire di esser prodotti entro fine anno. Le memorie scelte sono delle TLC, che hanno una capacità di condensare fino a 1 Terabit. 

La nuova architettura sarà costituita da un Chip basato su architettura CMOS under array, la stessa che possiamo trovare su architetture da 176 layer, ma nettamente migliorata.

Record Micron: a breve memorie 3D NAND flash a 232 layer

Maggior densità e minor consumo, come mostrato dai grafici mostrati, l’obiettivo è stato far fronte alla maggior richiesta di latenza sempre minore da parte del mercato, dunque nell’aumento della bandwidth. A parità però di processo produttivo, difatti almeno stando a guardare il processo produttivo, e l’efficienza maggiore, ci si dovrebbe aspettare prezzi più bassi, almeno per quanto riguarda i costi di produzione interna, non sappiamo l’impatto sul mercato che piega prenderà. 

Secondo Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo della divisione Technology and Products, le nuove memorie potranno, almeno non alle prime versioni, essere ottimizzate e implementate nel settore smartphone. Secondo la roadmap mostrata arriveranno successivamente soluzioni con “3x” e “4x” layer. Se volete continuare a conoscere le ultime novità dal mondo hardware continuate a seguirci. Un saluto da tuttoteK.