TSMC: inizierà la ricerca sulla tecnologia di processo a 1,4 nm

Taiwan Semiconductor Manufacturing Co, ha definito una tabella di marcia per il suo processo di fabbricazione N2 (classe 2 nm), che entrerà nella produzione ad alto volume (HVM) nel 2025, è tempo che l’azienda inizi a considerare un ulteriore nodo. Secondo un recente rapporto, TSMC rivelerà formalmente la sua tecnologia di classe 1,4 nm a giugno.

Business Korea afferma che TSMC mira a spostare il team che ha sviluppato il suo nodo N3 (classe 3 nm) allo sviluppo del suo processo di fabbricazione di classe 1,4 nm a giugno. 

Fonderie e progettisti di chip raramente annunciano apertamente le pietre miliari della ricerca e sviluppo, quindi è improbabile che TSMC rilasci un comunicato stampa in cui si afferma che lo sviluppo della sua tecnologia a 1,4 nm è iniziato. 

TSMC ospiterà il suo Technology Symposium a metà giugno, durante il quale l’azienda potrà fornire brevi dettagli sul nodo che sostituirà il suo processo di produzione N2.

Pathfinding, ricerca e sviluppo

Le fasi del flusso di progettazione della tecnologia di processo standard sono il pathfinding,  la ricerca e lo sviluppo. Pathfinding include materiali fondamentali e la ricerca fisica viene spesso condotta contemporaneamente per diversi nodi. 

È probabile che il pathfinding per N2 di TSMC venga completato a questo punto, i team si concentrano sulla fisica e sulla chimica fondamentali, stanno lavorando a un successore per N2, che può essere designato come 1,4 nm o 14 angstrom. 

L’N2 di TSMC si basa su transistor a effetto di campo gate-all-around (GAAFET), sebbene utilizzerà la litografia ultravioletta estrema (EUV) esistente con un’apertura numerica di 0,33 (0,33 NA). 

Date le informazioni attuali sull’N2 di TSMC, è probabile che il suo successore manterrà i transistor GAA, ma la domanda principale è se passerà agli strumenti EUV con 0,55 NA (o NA elevato).

Considerando che l’N2 raggiunge l’HVM alla fine del 2025 (prevediamo quindi che i primi chip da 2 nm dell’azienda saranno consegnati intorno al 2026) e la cadenza di introduzione del nodo da due anni e mezzo a tre anni, possiamo aspettarci 1,4 nm di TSMC (o 14 angstroms) da utilizzare per i prodotti commerciali a partire dal 2028.

Data la sequenza temporale, sarà vantaggioso per il nodo implementare la litografia High NA, che Intel intende implementare nel 2025.

Per quanto riguarda Intel

Non si sa quale dei nodi di Intel competerà con l’1.4 nm di TSMC. Intel prevede di lanciare la sua tecnologia 18A (18 angstrom) nel 2025, quindi entro il 2028 la società avrà introdotto almeno una nuova tecnica di fabbricazione.

Sarà interessante vedere se verrà indicato come 16A o 14A, dato che Intel sembra prudente con miglioramenti ai nodi al momento.

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