Samsung annuncia l’era dei 3 nanometri e transistor GAAFET

Con un comunicato ufficiale sui propri canali il colosso globale dell’elettronica Samsung ha annunciato la produzione di Chip basati sul processo 3GAE, dopo anni di studi, partirà in queste settimane la produzione di transistor GAAFET, questo passo sarà molto importante verso lo sviluppo di Chip sempre più complessi. Reso possibile grazie al circuito produttivo proprietario MBCFET.

3nm Gate All Around Early, questo il nome completo dei futuri Chip di Samsung. Inizialmente i Chip saranno sviluppati da partner che vengono etichettati Alpha, con l’obiettivo di testare i primi Chip, e mettere in luce pro e contro, così da aggiustare il tiro con le prossime Gen, dunque la produzione sarà sempre interna e dedicata alla fase di testing, in un futuro non troppo lontano saranno implementati nei primi dispositivi. Al momento la produzione sarà affidata alle divisioni Samsung’s System LSI.

Samsung annuncia l’era dei 3 nanometri e transistor GAAFET

Samsung sarà la prima a implementare questa tecnologia di transistor di tipo GAAFET. Samsung la chiama Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor (MBCFET) in merito alla produzione di GAA. La nuova tecnologia permetterà di aumentare l’area di contatto, e permetterà di aumentare la trasmissione dati, ovvero tra canale e gate. Principale vantaggio di questo sistema produttivo e che potrà essere implementato in diversi form factor ed essere molto versatile. Inoltre, la produzione GAAFET permetterà di ridurre notevolmente i consumi. 

Non è la prima volta che in casa Samsung di affronta il tema della produzione GAAFET, già in passato con le SRAM, si era avanzata l’ipotesi di migliorare il consumo da un 30 al 50%, ma ora ci si è spinti davvero in alto. In conclusione ci vorrà ancora del tempo per vederli impiegati nelle soluzioni commerciali. Se volete continuare a conoscere le ultime novità dal mondo hardware continuate a seguirci. Un saluto da tuttoteK.