Micron annuncia la prima “1-Alpha node” nel settore DRAM

Il leader statunitense Micron Technology, annuncia la disponibilità per i primi sample di moduli DRAM prodotti con nodo 1α (1-alpha), un processo produttivo specifico appunto per DRAM, ad oggi, il più avanzato al mondo.

Tale tecnologia è in grado di offrire importanti e sostanziali miglioramenti in termini di densità bit, potenza e prestazioni.  Con tale prodotto Micron rafforza la propria posizione in termini di produttore nel settore. In particolare per due innovazioni, la sua la memoria grafica più veloce al mondo e la NAND a 176 livelli.

Micron annuncia la prima 1-alpha node nel settore DRAM

Questo traguardo con processo produttivo 1α conferma l’eccellenza di Micron nel campo della DRAM ed è un risultato diretto dell’impegno assoluto di Micron nella tecnologia e nel design più all’avanguardia. Con un miglioramento del 40% nella densità di memoria rispetto al nostro precedente nodo DRAM 1z, questo miglioramento creerà un fondamento solido per i prodotti futuri e l’innovazione delle memorie

Ha dichiarato Scott DeBoer, vice presidente esecutivo di tecnologia e dei prodotti di Micron.

L’intenzione di Micron è quello di integrare il nodo 1α nella sua gamma di prodotti DRAM, entro quest’anno, così da supportare tutti gli ambienti che oggi usano gli stessi. Le applicazioni di questa nuova tecnologia DRAM sono ampie e di vasta portata, migliorando le prestazioni dai dispositivi mobili ai veicoli intelligenti. Non a caso Micron porta avanti la propria leadership nel campo delle memorie, in diversi segmenti di mercato, non soltanto in quello Server e PC. 

Difatti, il nuovo nodo produttivo DRAM 1α di Micron consentirà di sviluppare soluzioni di memoria a minor consumo energetico e fornirà velocità operative LPDDR5 più rapide per piattaforme per dispositivi mobili che richiedono prestazioni LPDRAM “best-in-class”. Parlano i dati, abbiamo con la nuova tecnologia produttiva un risparmio di energia del 15% rispetto alla precedente generazione Micron 1z. Tali prodotti consentiranno in futuro di realizzare dispositivi mobili 5G con una durata maggiore della batteria.

I nuovi moduli supporteranno una densità da 8 a 16 GB, offrendo la flessibilità di supportare molti degli attuali prodotti DDR4 e LPDDR4. Micron parla di un miglioramento del 40% nella densità di memoria, il tutto a beneficio dell’efficienza generale. Queste le parole di Sumit Sadana, vice presidente esecutivo e chief business officer di Micron.

La nostra nuova tecnologia DRAM alimenterà la DRAM per dispositivi mobili a minor consumo e porterà i vantaggi del nostro portafoglio DRAM a data center, clienti, consumatori e clienti nei settori industriale e automotive. Grazie alla nostra leadership nel settore delle tecnologie DRAM e NAND, Micron è nella posizione ideale per sfruttare la crescita di memoria e archiviazione, che ci si aspetta essere i segmenti più a rapida crescita nel settore dei semiconduttori nel prossimo decennio

In termini di disponibilità, Micron annuncia che le linee di Taiwan sono già all’opera per la produzione in serie di DRAM con nodo 1α è già iniziata, partendo dalla memoria DDR4 per clienti informatici e dai prodotti Crucial DRAM per consumer PC. Micron ha iniziato anche a campionare LPDDR4 per clienti con dispositivi mobili. La società presenterà nuovi prodotti basati su questa nuova tecnologia nel corso dell’anno 2021.

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